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        Product laser

        產品中心
        晶圓激光隱切設備
        產品簡介
        該設備可通過精密控制及激光內部改質技術,使得晶圓切割后裂片擴膜成單顆小芯片,以便實現后續(xù)的晶圓封測。
        產品特點

        兼容性好,可同時切割4~12寸及不同厚度的晶圓

        支持藍寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質

        良好的定位精度及重復定位精度

        切割質量高,直線度好,無崩邊、裂痕

        切割區(qū)域影響小,切割道≤20μm

        應用領域
        半導體芯片封裝
        技術指標
        設備型號 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
        設備尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
        適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12
        適用晶圓厚度 60μm to 400μm
        平臺精度 重復定位精度≤ ±1μm;定位精度<±3μm
        直線度  5 μm
        切割路徑寬度  20 μm
        TTV  10 μm  15 μm
        應用案例
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