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    Product laser
    
                產品中心
            
    
        
    
    
    
    
    
        
    
    

    

     
 

    
  
  
    

    



        
    
            
    

              
               
    
                  
    
					
      
                      
                      
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    IGBT激光退火設備
    
                    
    產品簡介
    
                    
    精確的單/雙脈沖控制，對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火，實現更優激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。
    
					
                    
					
                  
    
                  
    
               
    
			
    
                
    
                  
      
                     
                        
                       
                       
                      
                       
                       
                      
                       
                       
                        
                       
                  
    
                
    
                 
                    
    
                      
    產品特點
    
                      
    
                        
    
	激活深度≥7μm

    

    
	單位小時產出＞25 @8"

    

    
	優異的方阻均勻性和表面顏色

    

    
	完整的全程監控反饋能力

    

    
	支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

    

    
	具備激光輔助加熱系統

    
                      
    
                    
    
                 
                 
                    
    
                      
    應用領域
    
                      
    
                        分立器件工藝制程中離子注入后的激活退火
                      
    
                    
    
                 
                 
                    
    
                      
    技術指標
    
                      
    
                        
    
	
		
    
			
				設備型號
			
			
				DR-S-LA200S
			
			
				DR-S-LA300S
			
			
				DR-S-LA200D
			
			
				DR-S-LA300D
			
		
    
		
    
			
				適用晶圓尺寸
			
			
				6/8寸兼容
			
			
				8/12寸兼容
			
			
				6/8寸兼容
			
			
				8/12寸兼容
			
		
    
		
    
			
				激光能量密度
			
			
				≥5J/cm2
			
			
				≥5J/cm2
			
			
				≥5J/cm2
			
			
				≥5J/cm2
			
		
    
		
    
			
				激光穩定性
			
			
				≤ 2%，RMS
			
		
    
		
    
			
				激活率
			
			
				≥95% @B Implant，≥90% @P Implant
			
		
    
		
    
			
				均勻性
			
			
				片內：≤1%，片間：≤1%，@8"，RS
			
		
    
		
    
			
				潔凈度控制
			
			
				≤30 @ 0.5μm，≤5 @ 1μm
			
		
    
		
    
			
				自動傳片系統
			
			
				雙晶圓裝載口、多關節機器手、預準直器
			
		
    
	    

    
                      
    
                    
    
                 
                  
                    
    
                      
    應用案例
    
                      
    
                        
      
                          
                          
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